Flash 메모리 (네이버 검색)

Flash Memory

전원이 끊겨도 저장된 데이터를 보존하는 롬(ROM)의 장점과 정보의 입출력이 자유로운 램(RAM)의 장점을 동시에 지닌 메모리반도체다. 플래시메모리는 ROM에 비해 크기가 작고 작업 도중 전원이 끊겨도 데이터가 지워지지 않는다. 또 속도가 빠르며 전력 소모가 적고, CD나 DVD처럼 드라이브를 장착해야 하는 번거로움이 없다는 장점이 있다. 플래시메모리는 2001년부터 USB 드라이브, Thumb드라이브라는 이름으로 소개되면서 주목을 받기 시작했다. 이후 디카나 PDA 등의 휴대용 디지털 기기에 사용되면서 그 사용량이 급격히 증가하기 시작했다.

플래시메모리는 내부 방식에 따라 크게 노어(NOR)형과 낸드(NAND)형으로 구분된다. 노어플래시(nor flash)는 셀을 수평(병렬)으로 배열하기 때문에 대용량화가 불가능한 대신에 읽기 속도가 빠르고, 데이터의 안전성이 우수하다는 장점을 지니고 있으며, 휴대폰의 메모리로 많이 사용된다. 낸드플래시(nand flash)는 셀을 수직으로 배열하는 구조여서 소형화ㆍ대용량화가 가능해 다양한 모바일과 전자제품의 저장장치로 사용되고 있다.

한편, 원낸드플래시(one nand flash)는 낸드플래시메모리를 기반으로 S램과 로직(logic)회로 등을 하나의 칩에 구현, 기능과 용도를 대폭 확대한 차세대 주력 퓨전 메모리반도체로, 낸드의 대용량화 장점과 노어의 빠른 속도를 갖췄다.

 

 

NOR Flash

병렬 구조로 각 셀이 어드레스라인과 데이터 라인으로 연결돼 있는 플래시로 인텔이 최초로 개발했다. 필요로 하는 셀에 바로 접근할 수 있어 데이터의 읽기 속도가 NAND 플래시보다 빠르다. 반면 NOR 플래시는 데이터 및 어드레스 라인이 있어 회로가 복잡하고 차지하는 공간이 넓기 때문에 반도체를 집적하기가 힘들며 많은 전류가 필요하다. 그러나 전원 공급이 끊겨도 데이터가 유지되기 때문에 MP3, 휴대전화 운용체계 등에 많이 사용된다.

 

Nand Flash

전원이 꺼지면 저장된 자료가 사라지는 D램이나 S램과 달리 전원이 없는 상태에서도 데이터가 계속 저장되는 플래시메모리를 말한다. 이런 특징 때문에 비휘발성 메모리라고 부른다. 주로 스마트폰, PC의 주저장장치로 활용되며 사물인터넷(IoT), 빅데이터, 인공지능(AI)의 개발과 함께 수요가 증가하고 있다.

반도체 업체는 2차원 평면 형태의 반도체 저장용량을 늘리기 위해 회로 선폭을 좁게 만드는 미세 공정 경쟁을 벌여 왔으나 이 기술이 한계에 직면하였다. 이에 저장 공간을 수직으로 쌓아 가는 3차원 낸드플래시 기술 개발이 연구돼 활발한 양산이 이뤄졌다. 3차원 낸드플래시는 평면 낸드플래시에 비해 저장공간 집적도, 속도 및 내구성, 소비전력에 있어서도 수배 향상된 성능을 보이는 것으로 평가되고 있다.